型号: NE3515S02-T1D-A
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic
制造商: CEL
制造商: CEL
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
商标: CEL
晶体管类型: pHEMT
技术: GaAs
增益: 12.5 dB
Vds-漏 00006000 源极击穿电压: 4 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 3 V
Id-连续漏极电流: 88 mA
最大工作温度: + 125 C
Pd-功率耗散: 165 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: S0-2
封装: Reel
正向跨导 - 最小值: 70 mS
NF—噪声系数: 0.3 dB
工作频率: 12 GHz
P1dB - 压缩点: 14 dBm
工厂包装数量: 10000
联系人：傅小姐
电话：13310061703
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联系人：木易
电话：13352985419
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