型号: NE6501077
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 L&S Band GaAs MESFET
制造商: CEL
制造商: CEL
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
商标: CEL
晶体管类型: MESFET
技术: GaAs
增益: 10.5 dB
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 12 V
Id-连续漏极电流: 7 A
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 50 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Outline77
封装: Bulk
正向跨导 - 最小值: 2.6 S
工作频率: 2.3 GHz
P1dB - 压缩点: 39.5 dBm
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：周
电话：15889597042
Q Q:
联系人：刘子书
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：郭声
Q Q:
联系人：夏永
电话：139-26583967
Q Q:
