型号: NE6510179A
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 L&S Band GaAs HJFET
制造商: NEC/CEL
制造商: NEC
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 否
晶体管类型: HFET
技术: GaAs
增益: 10 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 8 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 4 V
Id-连续漏极电流: 2.8 A
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 15 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 79A
商标: NEC/CEL
工作频率: 1.9 GHz
P1dB - 压缩点: 35 dBm
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：罗丹英
电话：13723406506
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：010-62654269
Q Q:
联系人：王淑丽
电话：029-88256270
Q Q:
