型号: NE651R479A
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 L&S Band GaAs HJFET
制造商: NEC/CEL
制造商: NEC
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 否
晶体管类型: HFET
技术: GaAs
增益: 12 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 8 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 4 V
Id-连续漏极电流: 1 A
最大工作温度: + 125 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 79A
商标: NEC/CEL
工作频率: 1.9 GHz
P1dB - 压缩点: 27 dBm
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