型号: NE6510179A-T1
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: NEC/CEL
制造商: NEC
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
晶体管类型: HFET
技术: GaAs
增益: 10 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 8 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 4 V
Id-连续漏极电流: 2.8 A
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 15 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 79A
商标: NEC/CEL
工作频率: 1.9 GHz
P1dB - 压缩点: 35 dBm
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
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联系人：陈敏
电话：17302670049
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