型号: NE8500200
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: NEC/CEL
制造商: NEC
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
晶体管类型: MESFET
技术: GaAs
增益: 8 dB
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 12 V
Id-连续漏极电流: 1.9 A
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 13 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: CHIP
商标: NEC/CEL
正向跨导 - 最小值: 600 mS
工作频率: 2 GHz to 10 GHz
P1dB - 压缩点: 33.8 dBm
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