型号: NE85639-T1-R27
功能描述: NE856 Series 12 V 9 GHz NPN Silicon High Frequency Transistor - MiniMold-4
制造商: CALIFORNIA EASTERN
晶体管类型： NPN
电压-集射极击穿（最大值）： 12V
频率-跃迁： 9GHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）： 1.1dB @ 1GHz
增益： 13dB
功率-最大值： 200mW
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 50 @ 20mA，10V
电流-集电极（Ic）（最大值）： 100mA
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-143
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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