型号: NE85639R
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—基极电压 VCBO: 20 V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 3 V
最大直流电集电极电流: 0.1 A
增益带宽产品fT: 9000 MHz (Typ)
最大工作温度: + 150 C
商标: Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min: 50 at 20 mA at 10 V
最小工作温度: - 65 C
Pd-功率耗散: 200 mW
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