型号: NGB8206NG
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 管件
IGBT 类型： -
电压 - 集射极击穿（最大值）： 390V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 50A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 1.9V @ 4.5V，20A
功率 - 最大值： 150W
开关能量： -
输入类型： 逻辑
栅极电荷： -
25°C 时 Td（开/关）值： -/5µs
测试条件： 300V，9A，1 千欧，5V
反向恢复时间（trr）： -
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D2PAK
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
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联系人：陈晓玲
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Q Q:
