型号: NGTB03N60R2DT4G
功能描述: IGBT 晶体管 RC2 IGBT 3A 600V DPAK
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: DPAK-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 9 A
Pd-功率耗散: 49 W
最大工作温度: + 175 C
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
集电极最大连续电流 Ic: 4.5 A
商标: ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: IGBTs
单位重量: 350 mg
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