型号: NGTB15N60R2FG
功能描述: IGBT 晶体管 RC2 IGBT 15A 600V
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.85 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 24 A
Pd-功率耗散: 54 W
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 14 A
商标: ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: IGBTs
单位重量: 6 g
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：李
电话：13332924159
Q Q:
联系人：付志彬
电话：13923718679
Q Q:
联系人：杨杨
电话：13360063621
Q Q:
