型号:  NGTB35N60FL2WG

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

栅极/发射极最大电压：  20 V

栅极—射极漏泄电流：  200 nA

配置：  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO：  600 V

集电极—射极饱和电压：  2.2 V

集电极最大连续电流 Ic：  70 A

功率耗散：  300 W

安装风格：  Through Hole

封装/外壳：  Tube

封装/外壳：  TO-247-3

最大工作温度：  + 175 C

最小工作温度：  - 55 C

IGBT 类型：  沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：  600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  70A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  120A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2V @ 15V，35A

功率 - 最大值：  300W

开关能量：  840µJ（开），280µJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  125nC

25°C 时 Td（开/关）值：  72ns/132ns

测试条件：  400V，35A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：  68ns

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  TO-247

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs