型号: NGTD20T120F2SWK
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
IGBT 类型： 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 100A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 2.4V @ 15V，20A
输入类型： 标准
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 模具
供应商器件封装： 模具
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑秋兰
电话：18948314942
Q Q:
联系人：黄先生
电话：83244846
Q Q:
联系人：肖海坚
电话：13267795073
Q Q:
