型号:  NJVMJD44H11T4G

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SILICON Pwr TRANSISTOR

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

晶体管极性:  NPN

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  5 V

集电极—射极饱和电压:  1 V

最大直流电集电极电流:  16 A

增益带宽产品fT:  85 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  MJD44H11

直流电流增益 hFE 最大值:  60 at 2 A, 1 V

高度:  2.38 mm

长度:  6.73 mm

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

宽度:  6.22 mm

商标:  ON Semiconductor

集电极连续电流:  8 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  60

Pd-功率耗散:  20 W

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

资格:  AEC-Q101

工厂包装数量:  2500

子类别:  Transistors

零件号别名:  NJVMJD44H11T4G-VF01