型号: NP60N04VUK-E1-AY
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 63nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 3680pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta），105W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3.85 毫欧 @ 30A，10V
工作温度： 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-252
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13554783822
Q Q:
联系人：黄
电话：13728703671
Q Q:
联系人：汪国涛，程福江
电话：13631558185
Q Q:
