型号: NP82N055PUG-E1-AY
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 82A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 160nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 9600pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 25V
功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），143W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 5.2 毫欧 @ 41A，10V
工作温度： 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-263
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
Vgs（最大值）： ±20V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：赵先生
电话：13425145860
Q Q:
联系人：宋雨
电话：15210362397
Q Q:
联系人：林浦
电话：13925272696
Q Q:
