型号: NPT2021
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT
制造商: MACOM
制造商: MACOM
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN Si
增益: 14.2 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 160 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 3 V
Id-连续漏极电流: 14 mA
输出功率: 45 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: TO-272
封装: Tray
配置: Single
工作频率: 2.5 GHz
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
商标: MACOM
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻: 340 mOhms
工厂包装数量: 25
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 1.8 V
单位重量: 2 g
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：周生
Q Q:
联系人：吴
Q Q:
联系人：赖先生
电话：13143380729
Q Q:
