型号: NSBA123EDXV6T1
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装: 4,000
类别: 分立半导体产品
家庭: 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列: -
包装: 带卷(TR)
晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆): 2.2k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆): 2.2k
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 8 @ 5mA,10V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值): 250mV @ 5mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 500mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
其它名称: NSBA123EDXV6T1OS
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