型号:  NSBC114YPDXV6T1G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

晶体管类型：  1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电阻器-基底（R1）（欧姆）：  10k

电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：  47k

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：  80 @ 5mA，10V

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：  250mV @ 300µA，10mA

电流-集电极截止（最大值）：  500nA

功率-最大值：  500mW

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT-563，SOT-666

封装形式Package：  SOT-563

极性Polarity：  NPN+PNP

集电极最大允许电流Ic：  100mA

集电极_发射极击穿电压VCEO：  50V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：  250mV @ 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：  500nA

功率 - 最大值：  500mW

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：  50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：  10k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：  47k

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  80 @ 5mA，10V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs