型号: NSS35200MR6T1G
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 35V Low VCEsat
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: - 35 V
集电极—基极电压 VCBO: - 55 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: - 0.26 V
最大直流电集电极电流: 2 A
增益带宽产品fT: 100 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: NSS35200MR6T1G
高度: 0.94 mm
长度: 3 mm
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
宽度: 1.5 mm
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: - 2 A
Pd-功率耗散: 625 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 20 mg
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