型号:  NST848BF3T5G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

电流-集电极（Ic）（最大值）：  100mA

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：  600mV @ 5mA，100mA

电流-集电极截止（最大值）：  15nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：  200 @ 2mA，5V

功率-最大值：  290mW

频率-跃迁：  100MHz

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT-1123

封装形式Package：  SOT-1123-3

极性Polarity：  NPN

集电极最大允许电流Ic：  0.1A

集电极_发射极击穿电压VCEO：  30V

电流放大倍数最小值hFE_Min：  200

电流放大倍数最大值hFE_Max：  450

最高工作温度：  + 150 C

安装风格：  SMD/SMT

200 at 2 mA at 5 V：  直流电最大增益hFE

系列：  NST848BF3T5G

品牌：  ON Semiconductor

最大功率消耗：  347 mW

最低工作温度：  - 55 C

标准包装数量：  8000

RoHS：  符合 RoHS

配置：  Single

晶体管极性：  NPN

集电极-基极电压VCBO：  30 V

发射机-基极电压VEBO：  5 V

集电极最大直流电流：  0.1 A

100 MHz：  增益带宽积 fT

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs