型号: NSV12200LT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 2A
电压 - 集射极击穿（最大值）： 12V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 180mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 250 @ 500mA，2V
功率 - 最大值： 540mW
频率 - 跃迁： 100MHz
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13544084106
Q Q:
联系人：吴
电话：18928405783
Q Q:
联系人：张先生
电话：13528883171
Q Q:
