型号:  NSV1C201MZ4T1G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

100 MHz：  增益带宽积 fT

360：  直流电最大增益hFE

最大功率消耗：  800 mW

最高工作温度：  + 150 C

系列：  NSS1C201MZ4

连续集电极电流：  2 A

配置：  Single

集电极-发射极最大电压VCEO：  100 V

集电极-发射极饱和电压：  0.18 V

集电极-基极电压VCBO：  140 V

RoHS：  符合 RoHS

发射机-基极电压VEBO：  7 V

品牌：  ON Semiconductor

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  SOT-223-3

晶体管极性：  NPN

最低工作温度：  - 55 C

晶体管类型：  NPN

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  2A

电压 - 集射极击穿（最大值）：  100V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：  180mV @ 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：  100nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  120 @ 500mA，2V

功率 - 最大值：  800mW

频率 - 跃迁：  100MHz

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装：  SOT-223（TO-261）

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs