型号: NSVBC850BLT1G
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR NPN
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 45 V
集电极—基极电压 VCBO: 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 0.6 V
增益带宽产品fT: 100 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: BC846ALT1
直流电流增益 hFE 最大值: 450
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min: 200
Pd-功率耗散: 225 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
资格: AEC-Q101
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 8 mg
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