型号: NSVDTA114EM3T5G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）： 10 kOhms
电阻器 - 发射极基底（R2）： 10 kOhms
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 35 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA
功率 - 最大值： 260mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-723
供应商器件封装： SOT-723
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：颜
电话：13530145723
Q Q:
联系人：Wang
电话：13631509155
Q Q:
联系人：昂捷
Q Q:
