型号: NSVDTC114YM3T5G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
功率 - 最大值: 260mW
安装类型: 表面贴装
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆): 10k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆): 47k
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 80 @ 5mA,10V
电阻器 - 基底(R1): 10 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2): 47 kOhms
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: SOT-723
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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