型号: NSVDTC123JET1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA
功率 - 最大值： 200mW
安装类型： 表面贴装
晶体管类型： NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 2.2k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 47k
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 80 @ 5mA，10V
电阻器 - 基底（R1）： 2.2 kOhms
电阻器 - 发射极基底（R2）： 47 kOhms
封装/外壳： SC-75，SOT-416
供应商器件封装： SC-75，SOT-416
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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