型号: NSVEMC2DXV5T1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型: 1 NPN,1 PNP - 预偏置(基极集接面)
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基底(R1): 22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2): 22 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 60 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
功率 - 最大值: 500mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-553
供应商器件封装: SOT-553
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:Alien
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:朱小姐
电话:13725570869
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:林浦
电话:13925272696
联系人:蓝S
Q Q:
联系人:洪晓豪
电话:13556876562