型号: NSVMMBT5087LT3G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 250 @ 100µA，5V
功率 - 最大值： 225mW
频率 - 跃迁： 40MHz
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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