型号: NSVMMBT5551M3T5G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 60mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 160V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 80 @ 10mA，5V
功率 - 最大值： 265mW
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-723
供应商器件封装： SOT-723
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈欣
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Q Q:
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