型号: NSVMUN5211DW1T3G
功能描述: NSVMUN5211DW1 Series 50 V 100 mA Dual NPN Bias Resistor Transistor - SOT-363
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）： 10k
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 35 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 250mV @ 300µA，10mA
电流-集电极截止（最大值）： 500nA
功率-最大值： 250mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-88/SC70-6/SOT-363
封装形式Package： SOT-363
极性Polarity： NPN
集电极最大允许电流Ic： 100mA
集电极_发射极击穿电压VCEO： 50V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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