型号: NTB6412ANT4G/BKN
功能描述: Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
制造商: on semiconductor
包装： 3D2PAK
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 100 V
最大连续漏极电流： 58 A
RDS -于： 18.2@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 16 ns
典型上升时间： 140 ns
典型关闭延迟时间： 70 ns
典型下降时间： 126 ns
工作温度： -55 to 175 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
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