型号:  NTD4906NT4G

功能描述:  N-Channel 30 V 5.5 mOhm 1.38 W Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3

制造商:  ON Semiconductor

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  10.3A（Ta），54A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  24nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1932pF @ 15V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  1.38W（Ta），37.5W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  5.5 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

封装形式Package：  DPAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  14A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs