型号: NTD4969N-1G
功能描述: MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 12.7 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 9 nC
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 26.3 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: IPAK-3
封装: Tube
商标: ON Semiconductor
配置: Single
正向跨导 - 最小值: 36 S
最小工作温度: - 55 C
工厂包装数量: 75
联系人：Alien
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