型号: NTE2376
功能描述: NTE ELECTRONICS NTE2376 场效应管, MOSFET
制造商: NTE Electronics
封装: TO-247
引脚数: 3
功耗: 190 W
上升时间: 86.0 ns
漏源极电阻: 85.0 mΩ (max)
极性: N-Channel
漏源极电压(Vds): 200 V
漏源击穿电压: 200 V (min)
连续漏极电流(Ids): 30.0 A
安装方式: Through Hole
含铅标准: Lead Free
RoHS标准: Compliant
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