型号:  NTE4151PT1G

功能描述:  MOSFET -20V -760mA P-Channel

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SC-89-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  760 mA

Rds On-漏源导通电阻:  490 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  6 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  313 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.7 mm

长度:  1.6 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  NTE4151P

晶体管类型:  1 P-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  0.85 mm

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  0.4 S

下降时间:  8.2 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8.2 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  29 ns

典型接通延迟时间:  8 ns

单位重量:  30 mg