型号:  NTJD1155LT1G

功能描述:  MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SC-88-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  8 V

Id-连续漏极电流:  1.3 A

Rds On-漏源导通电阻:  175 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  400 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.9 mm

长度:  2 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  NTJD1155L

晶体管类型:  2 P-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  1.25 mm

商标:  ON Semiconductor

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

单位重量:  31 mg