型号: NTJD4105CT2G
功能描述: MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 27 V, 10.5 V
Id-连续漏极电流: 630 mA, 775 mA
Rds On-漏源导通电阻: 290 mOhms, 220 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 920 mV, 830 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V, 8 V
Qg-栅极电荷: 1.3 nC, 2.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 270 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.9 mm
长度: 2 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: NTJD4105C
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
类型: MOSFET
宽度: 1.25 mm
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 2 S
下降时间: 506 ns, 36 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 227 ns, 23 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 786 ns, 50 ns
典型接通延迟时间: 83 ns, 13 ns
单位重量: 7.500 mg
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