型号:  NTLJD3115PT1G

功能描述:  MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  WDFN-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  3.3 A

Rds On-漏源导通电阻:  106 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.5 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.75 mm

长度:  2 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  NTLJD3115P

晶体管类型:  2 P-Channel

宽度:  2 mm

商标:  ON Semiconductor

下降时间:  13.2 ns, 15 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  13.2 ns, 15 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  13.7 ns, 19.8 ns

典型接通延迟时间:  5.2 ns, 5.5 ns

单位重量:  8.800 mg