型号: NTLTD7900ZR2
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: +/- 12 V
漏极连续电流: 6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.031 Ohms
配置: Dual Dual Drain
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Micro-8
封装: Reel
下降时间: 1.17 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.5 W
上升时间: 1.17 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 1.87 ns
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：刘祝平
电话：18126538756
Q Q:
联系人：陈凯敏
电话：18320771255
Q Q:
联系人：周煜
电话：18924267523
Q Q:
