型号: NTMD6P02R2
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 20 V
闸/源击穿电压: +/- 12 V
漏极连续电流: - 7.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.027 Ohms
配置: Dual Dual Drain
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 80 ns, 50 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 15 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2 W
上升时间: 65 ns, 20 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 50 ns, 85 ns
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