型号: NTMS5835NLR2G
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装: 2,500
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 9.2A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 10 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2115pF @ 20V
功率 - 最大值: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC N
其它名称: NTMS5835NLR2G-NDNTMS5835NLR2GOSTR
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