型号:  NTR1P02T1G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  1A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  2.5nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  165pF @ 5V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  400mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  180 毫欧 @ 1.5A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：  SOT-23

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  20V

连续漏极电流ID：  1A

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  2.5nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  165pF @ 5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  180 毫欧 @ 1.5A，10V

FET 类型：  P 沟道

漏源极电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.3V @ 250µA

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs