型号:  NTZD3155CT1G

功能描述:  MOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-563-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  540 mA

Rds On-漏源导通电阻:  550 mOhms, 900 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  6 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  250 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.55 mm

长度:  1.6 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  NTZD3155C

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:  1.2 mm

商标:  ON Semiconductor

下降时间:  4 ns, 12 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  4 ns, 12 ns

工厂包装数量:  4000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  16 ns, 35 ns

典型接通延迟时间:  6 ns, 10 ns

单位重量:  3 mg