型号: NVD4804NT4G-VF01
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 14.5A（Ta），124A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，11.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 40nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 4490pF @ 12V
功率耗散（最大值）： 1.43W（Ta），107W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 4 毫欧 @ 30A，11.5V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： DPAK
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：叶存
电话：13738123490
Q Q:
联系人：刘
电话：13701717479
Q Q:
联系人：郭
电话：15999590907
Q Q:
