型号: NVD4808NT4G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 10A（Ta），63A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，11.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 13nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1538pF @ 12V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta），54.6W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 8 毫欧 @ 30A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装形式Package： DPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 13.8A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：肖瑶，树平
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