型号: NVD4C05NT4G
功能描述: MOSFET NFET DPAK 30V 4.1MO
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 31 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 57 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 98 S
下降时间: 6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 107 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
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联系人：余先生，张先生
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