型号:  NVD5490NLT4G

功能描述:  ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD5490NLT4G, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

制造商:  ON Semiconductor

14 nC：  Qg - 闸极充电

49 W：  Pd - 功率消耗

互导 - 最小值：  15 S

品牌：  ON Semiconductor

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  Reel

晶体管极性：  N-Channel

最低工作温度：  - 55 C

最高工作温度：  + 175 C

标准包装数量：  2500

Id - C连续漏极电流：  17 A

标准断开延迟时间：  24 ns

系列：  NVD5490NL

配置：  Single

Rds On - 漏-源电阻：  66 m0hms

RoHS：  符合 RoHS

Vds - 漏-源击穿电压：  60 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：  20 V

Vgs th - 门源门限电压：  2.5 V

上升时间：  57 ns

下降时间：  35 ns

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  17 A

最大漏源电压：  60 V

最大漏源电阻值：  85 m0hms

最大栅阈值电压：  2.5V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  DPAK (TO-252)

安装类型：  表面贴装

晶体管配置：  单

引脚数目：  3

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  49 W

典型接通延迟时间：  9.4 ns

典型关断延迟时间：  24 ns

典型输入电容值@Vds：  365 pF @ 25 V

典型栅极电荷@Vgs：  7.8 nC @ 4.5 V

晶体管材料：  Si

宽度：  6.22mm

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +175 °C

长度：  6.73mm

高度：  2.38mm

尺寸：  6.73 x 6.22 x 2.38mm

每片芯片元件数目：  1

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs