型号: NVD5807NT4G
功能描述: MOSFET POWER MOSFET
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 23 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 12.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 33 W
配置: Single
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: NTD5807N
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 8.1 S
下降时间: 2 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20.4 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
单位重量: 4 g
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