型号: NVD5862NT4G
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装: 2,500
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 18A(Ta),98A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 5.7 毫欧 @ 48A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 82nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 6000pF @ 25V
功率 - 最大值: 4.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装: DPAK-3
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话:13480875861
联系人:木易
电话:13352985419
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:颜小姐
电话:13380394549
联系人:廖美亮
电话:15243557388
联系人:肖先生
电话:13640908856
联系人:徐帅
电话:15112332225